Транзистор 70S900P7=IPD70R900P7S/DPAK TO-252 N-Channel MOSFET 30.5W, 6.0(12.5)A, 700V

70S900P7 = IPD70R900P7S — високовольтний N-канальний MOSFET-транзистор у компактному корпусі TO-252 (DPAK), призначений для роботи в потужних та імпульсних схемах електроніки.

Ключові характеристики:

• Тип: N-Channel MOSFET
• Модель/еквівалент: 70S900P7 = IPD70R900P7S
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Робоча напруга: 700 V
• Потужність: 30.5 W
• Струм: базовий ~6.0 A, піковий ~12.5 A
• Призначення: силові перетворювачі, драйвери моторів, ІМС БЖ, інвертори тощо

Цей MOSFET використовується для комутації високих напруг і струмів у джерелах живлення, перетворювачах постійної/змінної напруги, силових керованих вузлах та імпульсних схемах. Низький опір відкритого каналу забезпечує економність і мінімізує теплові втрати.

Ідеальний для:
• ремонт та відновлення блоків живлення (БЖ) та перетворювачів;
• силових модулів двигунів;
• ІМС-регуляторів;
• саморобних електронних проектів.